تم تقديم ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي HBM للمرة الأولى في عام 2013 من قبل شركة SK Hynix بعد الاعتماد عليها من قبل منظمة JEDEC، المسؤولة عن وضع المواصفات الرسمية للذواكر.
ومن ثم، شهدنا تطوراً في الأجيال حيث تم إصدار HBM2 في عام 2016، وتم تحسينه في عام 2018 بإصدار HBM2E. وفي عام 2020، تم إصدار HBM3، مع وصول النسخة المحدثة HBM3E في عام 2023.
تم استخدام ذاكرة HBM بشكل رئيسي في مجال تسريع الحوسبة عالية الأداء HPC، واستخدمتها شركات مشهورة مثل Nvidia و AMD في معالجات الرسوميات.
سامسونج أعلنت عن إطلاق ذاكرة HBM4 التي تعد تطورًا مهمًا في مجال الأداء. تم الإعلان عن ذلك من قبل سانغ جون هوانغ، نائب الرئيس التنفيذي ورئيس فريق منتجات DRAM في Samsung.
وفي الوقت نفسه، تقدم Samsung ذاكرة HBM3E بسرعة نقل بيانات تصل إلى 9.8 جيجابت في الثانية وعرض نطاق ترددي يصل إلى 1.25 تيرابايت في الثانية لكل حزمة. يستخدم هذا التطوير في مجال الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء.
وتضمنت الإعلانات التقنيات الجديدة مثل تجميع الرقائق الغير الموصلة NCF والترابط النحاسي الهجين HCB لتحسين الأداء وزيادة سلامة الإشارة. ومن المتوقع أن تأتي ذاكرة HBM4 مع واجهة ذاكرة 2048 بت لكل حزمة، مما يعزز سرعة النقل إلى 2 تيرابايت في الثانية.
الإعلان أيضًا عن جدول زمني لإصدار HBM4 في عام 2025، مع توقعات ببدء إنتاج كميات كبيرة بين عامي 2025 و 2026، مما يجعلها متوافقة مع تقديم منتجات مماثلة من شركة ميكرون باسم HBMNext.
Source موضوع جديد لك https://ift.tt/3KfwTNM